Tillämpning av infrarött mikroskop i mikroenheter inom elektronisk industri
Applikationsriktning: funktionen hos infrarött mikroskop vid temperaturmätning av mikrohalvledarenheter.
För det andra, bakgrunden:
Med utvecklingen av nanoteknik har dess top-down miniatyrisering mer och mer tillämpats inom halvledarteknik. Vi brukade kalla IC-teknik för "mikroelektronik", eftersom storleken på transistorer är i mikron (10-6 meter) nivå. Halvledarteknologin utvecklas dock väldigt snabbt och den kommer att utvecklas med en generation vartannat år och dess storlek kommer att reduceras till hälften av sin ursprungliga storlek. Detta är den berömda Moores lag. För ungefär 15 år sedan började halvledare gå in i sub-mikrons era, det vill säga mindre än mikron, och sedan fanns det en era med djup sub-mikron och mycket mindre än mikron. Vid 2001 var transistorns storlek till och med mindre än 0,1 mikron, det vill säga mindre än 100 nanometer. Därför är det nanoelektronikens era, och det mesta av framtidens IC kommer att vara gjord av nanoteknik.
För det tredje, de tekniska kraven:
För närvarande är den huvudsakliga felformen för elektroniska enheter termiska fel. Enligt statistik orsakas 55 procent av fel på elektroniska enheter av att temperaturen överstiger det angivna värdet. Med ökningen av temperaturen ökar felfrekvensen hos elektroniska enheter exponentiellt. Generellt sett är driftsäkerheten för elektroniska komponenter extremt känslig för temperatur, och tillförlitligheten kommer att minska med 5 procent för varje 1 grads ökning av enhetstemperaturen på nivån 70-80 grader. Därför är det nödvändigt att upptäcka enhetens temperatur snabbt och tillförlitligt. Eftersom storleken på halvledarenheter blir mindre och mindre, ställs högre krav på temperaturupplösning och rumslig upplösning för detektionsutrustning.
För det fjärde, skjut värmekartan på plats (plats: en välkänd modell för vetenskapligt forskningsinstitut: INNOMETE SI330)
