Tillämpning av mikroskop i strategisk framväxande LED-industri
1, Introduktion av safirsubstratmaterial
På grund av de goda isolerande egenskaperna hos safir är dielektrisk förlust liten, hög temperaturbeständighet, korrosionsbeständighet. Bra värmeledningsförmåga, i den mekaniska hållfastheten är tillräckligt hög. Och kan bearbetas till en plan yta. Överföringsbandet är brett. Därför används ofta inom industri, nationellt försvar, vetenskaplig forskning inom många områden. Samtidigt är det också ett bra substratmaterial för ett brett utbud av lysdioder. I generationen av lysdioder är * lovande att bli en hög ljusstyrka lysdiodfamilj av safir substrat substrat av nästa generation av lysrör, halvledar ljusemitterande enhet substrat material. För närvarande har dessa ljusemitterande dioder med hög ljusstyrka använts i stor utsträckning i reklam, trafikljus, instrumentljus; och kirurgiska lampor och andra områden. Med den ökande tillämpningen av ljusemitterande dioder med hög ljusstyrka.
LED Sapphire (Sapphire) är en enkristall av aluminiumoxid, även känd som korund. Safirglas har utmärkta optiska egenskaper, mekaniska egenskaper och kemisk stabilitet, hög hållfasthet, hårdhet, uttvättningsbeständighet, kan vara nära 2000 grader hög temperatur under svåra förhållanden. Enligt forskning finns det bara fyra substratmaterial som kan appliceras på lysdioder (se tabell I nedan). Sapphire, som en viktig teknologikristall, har nu bildat en mer fashionabel och mogen applikation i LED-industrin.
2. Ansökningar
Med Leicas polariserande mikroskop är det möjligt att identifiera onormal dubbelbrytning i safirkristaller. Under vissa omständigheter, med hjälp av konljusmikroskop, kan du observera interferensmönstret för kristallen, bestämma kristallens axialitet, används för att observera om riktningen för varje wafer är enhetlig, för att bedöma substratet är bra eller dålig.
Leica-mikroskop, svepelektronmikroskop vid produktion av LED-epitaxialwafer, LED-chipförberedelseprocessapplikationer
1, Introduktion av LED epitaxial wafer
LED epitaxial wafer tillväxt av grundprincipen är: i en bit av uppvärmning till lämplig temperatur på substratet substrat (främst safir och, SiC, Si), den gasformiga substansen InGaAlP kontrollerad transport till ytan av substratet, tillväxten av en specifik enkristallfilm. Den nuvarande LED-epitaxialwafertillväxtteknologin använder huvudsakligen organisk metallkemisk ångavsättningsmetod (MOCVD)
2, LED-chip introduktion
LED-chip, även känt som LED-ljusemitterande chip, är kärnkomponenten i led-ljus, som också kallas PN-junction. Dess huvudsakliga funktion är: att omvandla elektrisk energi till ljusenergi är chipets huvudmaterial monokristallint kisel. Halvledarchipet består av två delar, en del är P-typ halvledare, där hål dominerar, den andra änden är N-typ halvledare, på denna sida är huvudsakligen elektronisk. Men när dessa två halvledare är sammankopplade bildas en PN-övergång mellan dem. När strömmen verkar på denna wafer genom tråden skjuts elektronerna till P-området, där elektronerna sammansätts med hålen, och sedan avges energi i form av fotoner, vilket är principen för LED-luminescens. Och ljusets våglängd, som är ljusets färg, bestäms av bildandet av PN-övergångsmaterial.
3, Applikation:
a) Använd SEM för att detektera dislokationskorrosionsmorfologiinformationen för kristallytan efter epitaxiell wafertillväxt;
Betydelsen som tillhandahålls av dislokationskorrosionsmorfologin hos kristallytan: dislokationskorrosionen för varje prov uppvisar olika former och kristallen tillhör punktgruppen och kristallens struktur bestäms av rollen som kemiskt frätande medel är att förstöra molekylerna och atomer inom kristallinteraktionen mellan bindnings-, bindningskraften hos den mindre som först förstörs, för att bilda en viss form av korrosionen av korrosionen av en viss fläck, så en bra bild av korrosionen av en korrosion av plats har varit detaljerna i ** rendering, kan fullt ut förkroppsligas i Kvaliteten på kristall tillväxt mönster.
