Orsakerna till problem med elektromagnetisk kompatibilitet som orsakas av byte av strömförsörjning
Orsakerna till problem med elektromagnetisk kompatibilitet orsakade av 24V switchande strömförsörjning som arbetar i högspännings- och högströmskopplingstillstånd är ganska komplexa. När det gäller elektromagnetisk kompatibilitet för hela maskinen finns det huvudsakligen flera typer: vanlig impedanskoppling, linje-till-linje-koppling, elektrisk fältkoppling, magnetfältskoppling och elektromagnetisk vågkoppling. De tre elementen som genereras av elektromagnetisk kompatibilitet är: störningskälla, utbredningsväg och stört föremål. Gemensam impedanskoppling är huvudsakligen den gemensamma impedansen mellan störningskällan och det störda föremålet i det elektriska fältet, genom vilken störsignalen kommer in i det störda föremålet. Mellanledningskoppling avser huvudsakligen den ömsesidiga kopplingen mellan ledningar eller PCB-ledningar som genererar störspänning och störström på grund av parallella ledningar.
Elektrisk fältkoppling beror huvudsakligen på förekomsten av potentialskillnad, vilket genererar inducerad elektrisk fältkoppling med den störda kroppen. Magnetfältskoppling avser huvudsakligen kopplingen av låg-magnetiska fält som genereras nära högströmspulserande kraftledningar till störda föremål. Elektromagnetisk fältkoppling beror huvudsakligen på de högfrekventa elektromagnetiska vågorna som genereras av pulserande spänning eller ström, som strålar ut genom rymden och kopplas till motsvarande störda kropp. Faktum är att varje kopplingsmetod inte kan särskiljas strikt, bara betoningen är annorlunda.
I en 24V switchande strömförsörjning arbetar huvudströmbrytartransistorn i ett hög-omkopplingsläge vid höga spänningar. Omkopplingsspänningen och strömmen är nära fyrkantsvågor. Från spektralanalys är det känt att fyrkantvågssignalen innehåller rika hög-övertoner, och spektrumet för dessa övertoner kan nå mer än 1000 gånger fyrkantvågens frekvens. Samtidigt, på grund av läckinduktansen och den distribuerade kapacitansen hos krafttransformatorn, såväl som det icke-ideella arbetstillståndet för huvudströmbrytarenheterna, genereras ofta hög-frekvens och hög-topp övertonssvängningar när man slår på eller av vid höga frekvenser. De övertoner av hög{10} ordning som genereras av dessa övertonssvängningar överförs till den interna kretsen genom den fördelade kapacitansen mellan kopplingsröret och kylflänsen, eller strålas ut i rymden genom kylflänsen och transformatorn.
Används för likriktnings- och frihjulsdioder och är också en viktig orsak till hög-störningar. På grund av driften av likriktare och frihjulsdioder i hög-omkopplingstillstånd, får diodledarnas parasitiska induktans och övergångskapacitans, såväl som påverkan av omvänd återhämtningsström, att de fungerar med höga spännings- och strömändringshastigheter och genererar höga-frekvensoscillationer. På grund av närheten av likriktare och frihjulsdioder till strömutgångsledningen, överförs de högfrekventa störningar som de genererar enkelt via DC-utgångsledningen.
För att förbättra effektfaktorn för 24V switchande strömförsörjningar används aktiva effektfaktor positiva kretsar. Samtidigt, för att förbättra effektiviteten och tillförlitligheten hos kretsen och minska den elektriska stressen hos kraftenheter, har ett stort antal mjuka omkopplingstekniker antagits. Nollspänning, nollström eller nollströmskopplingsteknik används i stor utsträckning. Denna teknik reducerar kraftigt de elektromagnetiska störningar som genereras av omkopplingsenheter. Förlustfria absorptionskretsar för mjuka omkopplare använder dock oftast L och C för energiöverföring och utnyttjar diodernas enkelriktade ledningsförmåga för att uppnå enkelriktad energiomvandling. Därför blir dioderna i denna resonanskrets en viktig källa till elektromagnetiska störningar.
