Tillämpningar av infraröda mikroskop i mikroenheter inom elektronikindustrin
Bakgrund Introduktion
Med utvecklingen av nanoteknik har dess top-down miniatyriseringsmetod i allt högre grad tillämpats inom halvledarteknologi. IC-teknologi kallades tidigare "mikroelektronik"-teknik eftersom storleken på transistorer var på mikrometerskalan (10⁻⁶ meter).
Ändå går halvledartekniken snabbt framåt, med en ny generation som dyker upp vartannat år och funktionernas storlek minskar med hälften. Detta är den välkända Moores lag. För ungefär 15 år sedan gick halvledarindustrin in i submikron-eran, där dimensionerna är mindre än en mikrometer, följt av den djupa submikron-eran med funktionsstorlekar långt under en mikrometer. År 2001 hade transistordimensionerna till och med sjunkit under 0,1 mikrometer, nämligen mindre än 100 nanometer. Vi befinner oss därför i nanoelektronikens era och de flesta framtida integrerade kretsar (IC) kommer att tillverkas med nanoteknik.
Tekniska krav
För närvarande är det primära felläget för elektroniska komponenter termiskt fel. Statistik visar att 55 % av fel på elektroniska enheter orsakas av temperaturer som överskrider specificerade gränser. När temperaturen stiger ökar felfrekvensen hos elektroniska enheter exponentiellt. I allmänhet är driftsäkerheten hos elektroniska komponenter extremt temperaturkänslig. När enhetens temperatur ligger inom intervallet 70–80 grader minskar tillförlitligheten med 5 % var 1 grads höjning. Därför krävs snabb och pålitlig temperaturmätning av komponenter. Eftersom halvledarenheter fortsätter att krympa i storlek ställs högre krav på temperaturupplösning och rumslig upplösning hos inspektionsutrustning.
