Tillämpningar av mikroskop i LED: A Strategic Emerging Industry
LED (Light Emitting Diode, förkortat LED) är förkortningen för Light Emitting Diode. Sedan andra halvan av 2009 har LED-marknaden upplevt ett stort steg. Som en framväxande industri med hög tillväxt förväntas LED-industrins omfattning år 2015 överstiga 500 miljarder yuan, inklusive 160 miljarder yuan för allmänbelysningsindustrin, 120 miljarder yuan för den-stora LCD-TV-bakgrundsbelysningsindustrin, 20 miljarder yuan för fordonsbelysningsindustrin, 0 miljarder yuan, 160 miljarder yuan, 16 yuan för landskapet, display och andra industrier.
LED-industrikedjan kan grovt delas in i tre delar, nämligen uppströms substrattillväxt, epitaxial wafertillverkning, midstream-chipförpackning och nedströmsapplikationsprodukter. I hela industrikedjan är kärndelarna substrattillväxt och epitaxial wafertillverkning, som har relativt högt teknologiskt innehåll och står för nästan 70 % av branschens produktionsvärde och vinst.
Den nuvarande utvecklingstrenden för LED-industrin påverkas av både internationella och inhemska marknader. Driven av National Semiconductor Lighting Project har Kinas LED-industri initialt bildat en relativt komplett industriell kedja, inklusive substratmaterial uppströms LED, produktion av LED-epitaxialwafers, beredning av LED-chips, förpackning av LED-chips och applicering av LED-produkter.
Som bekant har halvledarljus-emitterande dioder fördelar som hög konverteringseffektivitet och lång livslängd, och anses vara nästa generation av ljuskällor som kommer att ersätta traditionella ljuskällor som för närvarande används. Men baserat på den nuvarande prestandan för lys-emitterande dioder finns det fortfarande många tekniska svårigheter att övervinna för att uppnå detta mål, och forskningsinsatserna måste ökas inom materialanalys och karaktärisering, enhetsanalysteknik och andra aspekter. Optiska mikroskop, svepelektronmikroskop, röntgenenergispektrometrar, sekundära jonmasspektrometrar och annan utrustning har blivit väsentliga analysverktyg för enhetsfel och strukturanalys, såväl som för övervakning, förbättring och förbättring av epitaxiella processer i förpackningsstrukturen för ljus-avgivande diodchips och gränssnittssammansättning, gränssnitt och diodens förhållanden.
