Hur man löser problemet med överdriven strålning från strömförsörjningsenheten
Omkoppling av strömförsörjningsspänning, strömändringshastigheten är mycket hög, vilket resulterar i större störningsintensitet; störkällor är huvudsakligen koncentrerade i kraftomkopplingsperioden och anslutna till kylflänsen och högnivåtransformatorn, i förhållande till platsen för den digitala kretsen är störningskällan tydligare; växlingsfrekvensen är inte hög (från tiotals kHz och flera megahertz), den huvudsakliga formen av interferens är ledningsstörningar och närfältsstörningar.
Specifika individuella frekvenspunkter över lösningen är som följer:
Inom 1MHz:
Differentiallägesstörningar är den viktigaste 1. Öka X-kapacitansen; 2. Lägg till differentiallägesinduktans; 3. Liten strömförsörjning kan användas PI-typ filterbehandling (det rekommenderas att elektrolytkondensatorerna nära transformatorn kan väljas större).
1M-5MHz:
Differentialmode common-mode-blandning, med hjälp av ingångssidan och en serie X-kondensatorer för att filtrera bort den differentiella beröringsstörningen och analysera vilken typ av störning som överskrider standarden och lösa det;
5MHz:
Ovanför vanliga beröringsstörningar är främst, med hjälp av metoden för att undertrycka vanlig beröring. För skalet jordade, i jordlinjen med en magnetisk ring runt 2 cirklar kommer att vara mer än 10MHZ störningar har en större dämpning (diudiu2006); för 25 - 30MHZ men kan användas för att öka Y-kapacitansen till marken, i transformatorn utanför brödkopparn, ändra PCBLAYOUT, utgångsledningen framför anslutningen av en tvåtråd och lindning av en liten magnetisk ring, minst 10 varv runt utgångslikriktarrörets ändar och RC-filtret.
1M-5MHZ:
Differentialmode common-mode-blandning, med användning av ingångssidan parallellt med en serie av X-kapacitanser för att filtrera bort differentialinterferensen och analysera vilken interferens som överskrider standarden och för att lösa problemet, 1. För differentialmodens interferens överstiger standarden. justerad till X kapacitans, lägg till en differentialmodsinduktor, differentialmodsinduktans; 2. För common-mode interferens överstiger standarden kan läggas till common-mode induktans, valet av en rimlig mängd induktans för att hämma; 3. Du kan ändra egenskaperna hos likriktardioden för att hantera ett par snabba dioder, såsom FR107 ett par vanliga likriktardioder 1N4007.
Över 5MHz:
Den vanliga beröringsinterferensen är den huvudsakliga, och metoden för att undertrycka den gemensamma beröringen används.
För skalet jordat, i jordlinjen med en magnetisk ringsträng runt 2-3 varv kommer att vara mer än 10MHZ interferens har en större dämpningseffekt; kan välja att sticka kopparfolie direkt efter kärnan i transformatorn, kopparfolie sluten slinga. Ta itu med back-end-utgångslikriktarens absorptionskrets och storleken på den primära storkretsshuntkapacitansen.
För 20M-30MHz:
1. För en klass av produkter kan användas för att justera Y2-kapacitansen till jord eller ändra Y2-kondensatorns position;
2. Justera Y1-kapacitanspositionen och parametervärdet mellan primär- och sekundärsidan;
3. Ladda kopparfolie på utsidan av transformatorn; lägg till ett skärmande skikt till transformatorns innersta skikt; justera arrangemanget av transformatorns lindningar.
4. Ändra PCB-layouten;
5. Utgångsledning framför anslutningen av en tvåtråds parallelllindning av en liten induktor för common mode;
6. Utgångslikriktare parallellt med båda ändarna av RC-filtret och justera rimliga parametrar;
7. Lägg till BEADCORE mellan transformatorn och MOSFET;
8. Lägg till en liten kondensator till transformatorns inspänningsstift.
9. Kan användas för att öka MOS-enhetens motstånd.
30M-50MHz:
1. Generellt orsakad av höghastighetsstart/avstängning av MOS-röret, kan lösas genom att öka MOS-drivmotståndet, RCD-buffertkrets med 1N4007 långsamt rör, VCC-matningsspänning med 1N4007 långsamt rör.
2. RCD-buffertkrets med 1N4007 långsamt rör;
3. VCC matningsspänning med 1N4007 långsamt rör att lösa;
4. Eller utgångsledningens främre ände i serie med en tvåtråds parallelllindning av en liten induktor för common mode;
5. Anslut en liten absorptionskrets parallellt med DS-stiftet på MOSFET;
6 . Lägg till BEADCORE mellan transformatorn och MOSFET;
7. Lägg till en liten kondensator till transformatorns inspänningsstift;
8. PCB LAYOUT när den stora elektrolytkondensatorn, transformatorn, MOS utgör kretsslingan så liten som möjligt;
9. transformator, utgångsdiod, utgångsplattvåg elektrolytisk kondensator utgör kretsringen så liten som möjligt.
