Hur man använder en multimeter för att mäta IGBT -modulen
1, bestämma polaritet
Ställ först multimetern till R × 1K -positionen. När man mäter med multimetern, om motståndet mellan en pol och de andra två polerna är oändligt och motståndet mellan den polen och de andra två polerna fortfarande är oändligt efter att ha bytt sonden, fastställs det att denna pol är grinden (g). Mät de återstående två polerna med en multimeter. Om det uppmätta motståndet är oändligt, byt ut sonden och mät ett mindre motstånd. Vid mätningen av ett litet motståndsvärde fastställs det att den röda sonden är ansluten till samlaren (C); Den svarta sonden är ansluten till emitter (E).
2, bedömer bra utifrån dåligt
Ställ multimetern till R × 10K -positionen, anslut den svarta sonden till samlaren (C) för IGBT och den röda sonden till Emitter (E) för IGBT. Vid denna tidpunkt är multimeterns pekare vid noll. Tryck på både grinden (g) och samlaren (c) med fingrarna samtidigt, och IGBT kommer att utlösas för att genomföra. Multimeterns pekare svänger mot riktningen för lägre motstånd och kan sluta indikera en viss position. Rör sedan vid grinden (g) och emitter (e) samtidigt med fingrarna, och IGBT är blockerad, vilket får multimeterpekaren att återgå till noll. Vid denna tidpunkt kan det fastställas att IGBT är bra.
3, alla pekmultimeter kan användas för att upptäcka IGBT
När du bedömer kvaliteten på IGBT, se till att ställa in multimetern till R × 10K -positionen, eftersom den interna batterispänningen för varje multimeter under R × 1K -positionen är för låg, och IGBT inte kan slås på under inspektionen, vilket gör det omöjligt att bestämma kvaliteten på IGBT. Denna metod kan också användas för att detektera kvaliteten på kraftfälteffekttransistorer (P-MOSFET).
Detektion av inverterare IGBT -modul:
Ställ in den digitala multimetern på diodtestläget och testa de framåt och omvända diodeegenskaperna mellan IGBT -moduler C1 E1, C2 E2, såväl som mellan GATE G och E1, E2, för att bestämma om IGBT -modulen är intakt.
Att ta sexfasmodulen som ett exempel. Ta bort ledningarna i faserna U, V och W på lastsidan, använd ett diodtestläge, anslut den röda sonden till P (Collector C1) och mät u, V och W i följd med den svarta sonden. Multimetern visar det maximala värdet; Vänd sonden, anslut den svarta sonden till P och använd den röda sonden för att mäta U, V och W. Multimetern visar ett värde på cirka 400. Anslut den röda sonden till N (emitter E2) och den svarta sonden för att mäta U, V och W. Multimetern visar ett värde på cirka 400; Anslut den svarta sonden till P, mäta dig, V och W med den röda sonden och multimetern visar det maximala värdet. De framåt och omvända egenskaperna mellan varje fas bör vara desamma. Om det finns en skillnad indikerar det att prestandan för IGBT -modulen har försämrats och bör bytas ut. När IGBT -modulen är skadad uppstår endast nedbrytning och kortslutningssituationer.
De röda och svarta sonderna används för att mäta de framåt- och omvända egenskaperna mellan grinden G och Emitter E. Om multimetern mäter det maximala värdet två gånger kan det fastställas att IGBT -modulgrinden är normal. Om det finns en numerisk display kommer grindprestanda att försämras och denna modul bör bytas ut. När resultaten framåt och omvänt är noll indikerar det att den detekterade enfasporten har brutits ner och kortsluten. När grinden är skadad kommer spänningsregulatorn som skyddar grinden på kretskortet också att brytas ned och skadas.
